中国儿童保健杂志 ›› 2015, Vol. 23 ›› Issue (12): 1264-1266.DOI: 10.11852/zgetbjzz2015-23-12-10
靳有鹏,管国涛,王伟,王玉林
JIN You-peng,GUAN Guo-tao,WANG Wei,WANG Yu-lin.
摘要: 目的 研究介入治疗后的室间隔缺损(VSD)患儿的认知能力及行为问题,分析两者之间的关联性。方法 选择自2010年1月-2012年12月在山东省立医院进行经导管介入封堵治疗的VSD 64例患儿。采用P300事件相关电位来评估VSD患儿的认知能力,另外采用儿童行为问题问卷来评估患儿的情绪和行为问题,分析这两者之间的关联性,并以56位正常对照儿童参与了本研究。结果 1)与对照组相比,VSD患儿在额叶和顶叶部位具有长的潜伏期,额叶和顶叶部位的波幅明显低于对照组;2)VSD的男童存在抑郁、体诉等行为问题,女童存在抑郁、强迫、社会退缩、违纪等行为问题;3)存在抑郁、体诉问题的VSD男童事件相关电位的异常分别表现为顶叶潜伏期延长、波幅降低及额叶潜伏期延长;4)存在抑郁、强迫、社会退缩、违纪问题的VSD女童事件相关电位的异常分别表现为顶叶潜伏期延长和波幅降低、额叶波幅降低、额叶潜伏期延长、顶叶波幅降低。结论 与正常儿童相比,介入治疗后的VSD患儿,学龄期的认知能力存在轻度的损害,且有一定程度的情绪和行为问题,VSD患儿的行为问题与异常的事件相关电位有一定的相关性。
中图分类号: